LBSS138LT1G_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.2A 参数2：电压VDSS:50V 参数3：RDON:1100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具有0.2A的连续漏极电流能力，支持最高50V的漏源电压。其导通电阻为1100mΩ，适合低功率应用。栅源电压范围达到20V，确保了与多种控制电路的良好兼容性。适用于小型电子设备、便携式装置以及需要精确控制的小信号处理场景中，是追求稳定性和可靠性的理想选择。
