NVTFS5124PLTWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:70mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有20安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏的漏源极断态电压（VDSS），适用于需要高电流承载能力和稳定电压性能的电路设计。其导通电阻（RDON）仅为70毫欧，这有助于在大电流通过时降低能量损耗，并减少发热。栅源极电压（VGS）为20伏，确保了元件在高电压条件下的可靠工作。此MOSFET适合用于要求高效能开关操作及低电阻路径的应用中，例如电源转换、负载控制或精密电子设备内的信号处理电路。
