AO4407A_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOP-8 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000/圆盘 参数1:电流ID:12A 参数2:电压VDSS:30V 参数3:RDON:10mR 参数4:沟道类型:P 标价:欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道场效应管(MOSFET)具有12A的连续漏极电流(ID/A),能够承受最高30V的漏源电压(VDSS/V)。其导通电阻(RDSON)仅为10毫欧(mR),适用于要求高效能的应用中。此元件可在栅源电压(VGS/V)不超过20V的情况下正常工作,适合用于需要精密控制与高效转换的电路设计中,如便携式电子产品或消费类电源管理模块。
