DMN601TK-7_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的连续排水电流（ID），能够在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作，确保了其在高电压应用中的可靠性。该器件具备1300毫欧的导通电阻（RDSON），这有助于减少导通状态下的功率损耗。最大栅源电压（VGS）为±20V，提供了宽泛的操作范围。此MOSFET适用于需要精确电流控制与高效率能量转换的电路设计中，如便携式电子产品或消费类电源管理解决方案等。
