SISH101DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），具有良好的导通特性和稳定的开关表现。其漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON为6.5mΩ，栅源电压VGS最大支持20V。适用于电源管理、电池供电设备、直流-直流转换器及负载开关等电路设计，具备高可靠性和低功耗特性，助力提升整体系统效率与性能。
