LESD8LS5.0T5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.4pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用Uni单向设计，具备4A的峰值脉冲电流（IPP）能力，可快速响应并抑制瞬态电压干扰。其反向工作电压（VRWM）为5V，适用于各类低电压信号线路的防护需求。器件寄生电容（CJ）低至0.4pF，显著降低对高频信号的干扰，提升传输完整性。单通道（LINE:1通道）结构设计紧凑，便于在空间受限的电路布局中实现高效保护，广泛应用于消费类电子、通信模块及便携式设备中。
