PTVSHC3N18VU-HXY_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流Ipp:140A 参数2：电压VRWM:18V 参数3：CJ:900pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为静电和浪涌保护器件，适用于需要高可靠性和稳定性的电路防护场合。其主要参数包括：最大通流能力（IPP）为140A，反向工作电压（VRWM）为18V，结电容（CJ）为900pF，支持2通道（LINE）保护，采用单向（Uni）设计。该器件能够有效吸收和泄放瞬态过电流，防止电压尖峰对后级电路造成损害，广泛应用于通信设备、消费电子及精密仪器等领域中的信号线路保护。
