智能增强型氮化镓驱动 EGaN Smart-Driver
品牌：JTM 标价：请联系咨询
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产品介绍
Ø 在使用增强型氮化镓器件时，您是否困扰于栅极回路面积大，导致栅极电压振荡，甚至栅极击穿？或因氮化镓阈值电压低，栅极误开启而炸管子？
Ø 驱动集成氮化镓器件管脚复杂，散热性能比传统功率封装差？且不同供应商集成方案管脚相互不兼容？
Ø 分立氮化镓器件中，SGT肖特基栅极器件和GIT欧姆栅极器件没有通用兼容的驱动方案？
Ø EMI难以调节，尤其是不同工况和负载的情况下？
Ø 现有氮化镓方案老化之后会效率变低？栅极漏电流变化导致EMI及损耗变化？
Ø 现有氮化镓器件硬切开通及关断损耗过高？
晶通半导体EGaN Smart-Driver®技术平台解决了增强型氮化镓供应链的痛点，大幅提升氮化镓“可靠性、效率、易用性”，达到甚至超越集成驱动氮化镓器件的性能。Smart-Driver®是世界首款可以直驱GITE GaN同时兼容SGT E GaN的驱动方案， 并提供下列各项优势：
• 最小化栅极环路、减小环路震荡及栅极过冲
• 提升开通关断效率最高达40%
• 补偿栅极漏电流对开关速度/EMI和损耗的影响
• 补偿动态阈值电压对开关速度/EMI和损耗的影响
• 通过外加RDRV电阻，EMI调节简单
• 优化栅极开通关断瞬态，实现可靠开通和关断
• 栅极电流自适应Ciss, Rdson 涵盖18mΩ到400mΩ
Smart-Driver®产品目录–覆盖 100V-700V 全电压/全RDS(ON)范围：
Voltage Class | Part | Package | Typ.VOUT (V) | GaN Type | Driving Capability for Typ. RDS(ON) Range | Engineering Samples | DUTs Example |
600-700V | 2511U1 | SOT23-6 | 6.8 | SGT | < 50mΩ (Level 1) | Now | INN650TA030AH E65P028L10 (TSMC) |
2513U1 | SOT23-6 | 4 | GIT | Now | IGT65R025D2 | ||
2514U1 | SOT23-6 | 6.8 | SGT | 50mΩ – 100mΩ (Level 2) | Now | INN650D070AH E65P070B10 (TSMC) | |
2516U1 | SOT23-6 | 4 | GIT | Now | IGLD65R055D2 | ||
2517U1 | SOT23-6 | 6.8 | SGT | 100mΩ – 200mΩ (Level 3) | Now | INN700D140C E65P120B10 (TSMC) | |
2519U1 | SOT23-6 | 4 | GIT | Now | IGLD65R110D2 | ||
40-200V | 2613D1 | DFN2x2 | 4/5 | GIT/SGT | 15nC < Qg | Now | INN200EQ018A IGC090S20S1 EPC2302/EPC2306 |
2616D1 | DFN2x2 | 4/5 | GIT/SGT | 8nC < Qg < 15nC | Now | ||
2619D1 | DFN2x2 | 4/5 | GIT/SGT | Qg < 8nC | Now |
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电话：0755 - 82520965
公众号：晶通半导体
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