TPS25940LRVCT 具有反向电流阻断功能和 DevSleep 模式的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A 至 5.2A

TPS24740RGER 具有功率限制功能和 ORing 的 2.5V 至 18V 热插拔控制器，支持闭锁模式

INA240A3DR 具有增强的 PWM 抑制能力的 -4V 至 80V、双向、超精密电流感应放大器

INA240A3DR 具有增强的 PWM 抑制能力的 -4V 至 80V、双向、超精密电流感应放大器

AMC1411DWLR 具有高 CMTI、用于电流感应的 2V 输入增强型隔离放大器

INA270AID 具有直列式滤波器功能的 AEC-Q100、-16V 至 80V、分级电流感应放大器

TDC1011QPWRQ1 用于液位和 ID 感测的汽车类超声波感测模拟前端 (AFE)

LMZ21701SIL 采用 3.5mm × 3.5mm 封装的 3V 至 17V、1A 降压直流/直流电源模块

SN74LS540NS 具有三态输出的 8 通道、4.75V 至 5.25V 双极反相器

OMAPL138EZCEA3 数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC C6000 DSP+ARM

TPS72325DBVR 具有使能功能的 200mA、负电压、可调节低压降稳压器

CSD19536KCS TO-220 、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

静电保护阵列

DMX5530E

MOV压敏电阻

PTC自恢复保险丝

TVS瞬态抑制二级管

GDT陶瓷气体放电管

GDT陶瓷气体放电管-2R-8TH

KOV复合器件-KOV@G系列

LED电涌保护器

板载电涌保护器（TM系列）

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BYNB DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BYMA DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BYK0 DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装