FH12-8S-0.5SH(55)

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E8E324EB-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E6E304EC-EGCG 容量16GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

B5B-PH-K-S(LF)(SN)

FH12-50S-0.5SVA(54)

SLF-01T-1.3E

BM10B-GHS-TBT(LF)(SN)

SM06B-PASS-1-TBT(LF)(SN)

SM03B-SRSS-TB(LF)(SN)

SM02B-BHSS-1-TB(LF)(SN)

BM07B-NSHSS-TBT(LF)(SN)

B13B-PH-K-S(LF)(SN)

S8B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S32B-PHDSS(LF)(SN)

BM02B-PASS-TFT(LF)(SN)

S6B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

B10B-PHDSS(LF)(SN)

SM03B-PASS-TBT(LF)(SN)

B3B-PH-SM4-TB(LF)(SN)

SM12B-PASS-TBT(LF)(SN)

BM03B-SRSS-TB(LF)(SN)

BM06B-NSHSS-TBT(LF)(SN)

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDB-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDA-B2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDC-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口