传闪迪开建HBF产线，抢跑AI存储新赛道

据韩媒Etnews及多家行业媒体最新报道，存储巨头闪迪（SanDisk）已正式按下“加速键”，开始建立高带宽闪存（HBF）的样品生产线。这一存储技术旨在填补HBM与SSD之间的性能鸿沟，为AI推理时代提供全新的存储解决方案。

消息指出，闪迪目前正在紧锣密鼓地与材料、零部件及设备供应商接洽，构建HBF原型生产线的生态系统。据某材料行业高层人士透露，闪迪的目标是在今年下半年引入关键设备，部分企业甚至已经开始讨论采购订单（PO）。

业界普遍预测，闪迪的试点生产线将于2026年下半年建成，并在年底前投入运营，力争在2027年实现HBF产品的正式商业化。另有消息人士向The Bell透露，随着样品生产的正式启动，闪迪似乎将比此前公布的路线图提前约六个月完成开发目标。

作为NAND闪存领域的头部厂商，闪迪此次加速布局HBF，被视为其在AI存储市场的一次关键突围。由于目前产品组合中缺乏基于DRAM的高带宽内存（HBM），闪迪正全力以赴通过HBF这一差异化技术，在AI存储这一新兴蓝海中抢占先机。

HBF（High Bandwidth Flash）并非简单的闪存升级，而是一种架构层面的创新。其核心结构与目前火热的HBM（高带宽内存）类似，但关键区别在于堆叠介质：HBM堆叠的是DRAM，而HBF堆叠的是NAND闪存。

“HBM之父”、韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩解释两者的区别：“HBM好比书房，容量虽小但取用极其方便（低延迟）；而HBF则好比图书馆，虽然距离稍远（延迟略高），但藏书量巨大（大容量）。”

在AI大模型参数呈指数级增长的今天，仅靠昂贵的HBM已难以满足海量数据的读取需求，而传统的SSD速度又太慢。HBF正是为了解决这一痛点而生。它通过借鉴HBM成熟的3D堆叠和硅通孔（TSV）技术，将NAND闪存的带宽提升至接近HBM的水平，同时保留了NAND低成本、大容量和非易失性（断电保存数据）的优势。

在推进HBF商业化上，闪迪已拉拢了SK海力士。今年2月，SK海力士与闪迪联合宣布在开放计算项目（OCP）框架下成立专属工作组，正式启动HBF全球标准化进程。SK海力士作为HBM领域的霸主，拥有顶尖的堆叠封装技术；而闪迪则是HBF概念的提出者和商业化先行者。两者的强强联合，意在通过制定行业标准，加速HBF生态的成熟。

与此同时，三星电子也已加入这一阵营，计划独立开发HBF产品。随着三大存储巨头的集体入局，HBF有望成为继HBM之后，AI硬件领域的下一个爆发点。

根据规划，2026年下半年闪迪推出HBF原型产品，试点产线建成；2027年初搭载HBF的AI推理设备预计出样；2027年底至2028年初： HBF技术有望集成至英伟达、AMD及谷歌的相关产品中。