一个器件卖出500亿！IGBT国产厂商纷纷加速“上车”
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极结型晶体管，即三极管）和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管）两种结构复合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT同时具备MOSFET输入阻抗高、开关速度快、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小以及BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。因此,IGBT驱动功率小而饱和压降低，是一种适合于中、大功率应用的电力电子器件,目前广泛应用于650-6,500V的中高压领域，是功率器件领域最具发展前景的赛道。
